[发明专利]TFT阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 202110002999.3 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112820739B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张伟伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种TFT阵列基板，包括阵列驱动区以及位于所述阵列驱动区一侧的绑定区，所述TFT阵列基板还包括柔性衬底、设置于所述柔性衬底上的缓冲层、设置于所述缓冲层上的第一金属层以及覆盖所述第一金属层的绝缘层，所述绝缘层上具有多个间隔排列的绑定端子，多个所述绑定端子位于所述绑定区，所述绝缘层还具有与多个所述绑定端子对应设置的多个过孔，每一所述绑定端子经由对应的所述过孔与所述第一金属层电连接；其中，位于所述绑定区的部分所述绝缘层上还设置有挡墙，所述挡墙围绕多个所述绑定端子排列形成的第一区域D设置。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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