[发明专利]基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜及其制备方法有效
| 申请号： | 202110003179.6 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112968345B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 谢国强;覃治鹏;周易;陈建新 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜，包括：GaSb衬底；在该GaSb衬底的下表面镀有高透膜；InAs/GaSb超晶格，该InAs/GaSb超晶格具有特定的结构和厚度，制作在所述GaSb衬底上；反射膜，该反射膜制作在所述InAs/GaSb超晶格上；所述的反射膜由多对1/4波长厚度的ZnS和YbF |
||
| 搜索关键词： | 基于 inas gasb 晶格 红外 半导体 饱和 吸收 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学;中国科学院上海技术物理研究所，未经上海交通大学;中国科学院上海技术物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110003179.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法
- GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法
- HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器
- Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法
- 用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法
- 在硅衬底上变温生长InAs/GaSb超晶格红外探测器GaSb缓冲层的方法
- 一种基于GaSb的Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>Sb/GaSb串联结构热光伏电池及其制备方法
- 一种短波/中波/长波三波段红外探测器及其制备方法
- 一种增强锑基超晶格材料光致发光信号的方法
- GaSb焦平面红外探测器的制备方法及GaSb焦平面红外探测器
