[发明专利]微发光二极体显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202110003650.1 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112802832B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 姜哲文 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/54;H01L33/58 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 杨冬梅;张行知 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种微发光二极体显示装置包括基板、微发光二极体晶片、保护层与漏斗管型结构阵列。微发光二极体晶片位于基板上。保护层覆盖微发光二极体晶片与基板。漏斗管型结构阵列位于保护层上且包括复数个漏斗管型结构。每一漏斗管型结构具有背对保护层的顶面。漏斗管型结构分别与微发光二极体晶片在垂直方向上重叠，且漏斗管型结构的宽度从保护层往漏斗管型结构的顶面逐渐增加。当漏斗管型结构下方的微发光二极体晶片发光时，微发光二极体晶片发出的光线可进入漏斗管型结构并在漏斗管型结构的倾斜边缘发生全内反射，可增加微发光二极体显示装置的出光效率，还可收敛微发光二极体晶片的大角度光。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 二极体 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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