[发明专利]刻蚀腔室与设计及制造刻蚀腔室的上电极的方法在审
| 申请号： | 202110004630.6 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112863991A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 黄海辉;霍宗亮;刘高山;郑亮;王星;张小强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀腔室，包括上电极，包括可相互分离的中心电极和边缘电极，其中所述中心电极包括可相互分离的多个电极部件；下电极，与所述上电极相对设置，所述下电极耦接射频功率源，以使所述下电极与所述电极部件之间形成电场。本发明的刻蚀腔室，可实现刻蚀工艺进行中，根据刻蚀图案的需要，便捷地对上电极的中心电极的下表面、形貌进行调节，实现在满足刻蚀大深宽比图案的深度要求的同时，等离子密度分布亦可具有较好的均一性，从而改善此时刻蚀图案的剖面倾斜程度。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 设计 制造 电极 方法 | ||
【主权项】：
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