[发明专利]无源自供能用压电纳米阵列传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110004850.9 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112786775B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 刁凤新;秘立鹏;史昌明;孙睿;佟敏;党乐;陈忠源;王磊磊 | 申请（专利权）人： | 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院;国网河南省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/047 | 分类号： | H01L41/047;H01L41/113;H01L41/18;H01L41/29;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张庆骞 |
| 地址： | 010020 内蒙古自治区呼*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明属于无源自供能领域，提供了一种无源自供能用压电纳米阵列传感器及其制备方法。其中，无源自供能用压电纳米阵列传感器包括共振腔、第一种子层、第二种子层、第一ZnO纳米线阵列、第二ZnO纳米线阵列、第一压电层电极和第二压电层电极；所述共振腔为两端开口式空腔结构的基片构成；所述第一种子层和第二种子层分别设置在共振腔的顶部和底部；所述第一ZnO纳米线阵列生长在第一种子层上部，第二ZnO纳米线阵列生长在第二种子层下部；所述第一压电层电极设置在第一ZnO纳米线阵列上部，第二压电层电极设置在第二ZnO纳米线阵列下部。 | ||
| 搜索关键词： | 无源 自供 能用 压电 纳米 阵列 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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