[发明专利]一种制绒后晶硅片的处理方法及异质结电池的制备方法

摘要

本发明提供了一种制绒后晶硅片的处理方法，包括将制绒后晶硅片放置在气氛炉内；对气氛炉内抽真空使气氛炉内压力小于第一压力；输入第一气体至气氛炉内，使气氛炉内压力大于第二压力，对制绒后晶硅片预处理；输入保护气体至气氛炉内，使气氛炉内压力大于第二压力，对制绒后晶硅片的表面生成气体保护膜；输入第二气体至气氛炉内，使气氛炉内压力升高至常压，将气氛炉内温度降至常温。其中，第一压力＜第二压力。通过第一气体、保护气体、第二气体对制绒后晶硅片进行处理，在制绒后晶硅片表面附着一层气体保护膜进行保护，延长制绒后晶硅片保存时间，确保太阳能电池性能。