[发明专利]测量原位交联密度的装置和方法、曝光设备、交联产物、其制法、聚合物膜和电子器件在审
| 申请号： | 202110006200.8 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN113218814A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 权福顺;郑暎锡;金周永;李敦旭;咸硕圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G01N9/00 | 分类号： | G01N9/00;G01N9/24;G03F7/20;C08J3/24;C08J3/28;C08J5/18;C08L53/02;C08K5/28;H01L27/146;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了测量原位交联密度的装置和方法、曝光设备、交联产物、其制法、聚合物膜和电子器件，所述测量原位交联密度的装置包括配置成固定或支撑能交联的结构的支撑板、配置成将用于交联的光照射到所述能交联的结构的光源、和配置成向所述能交联的结构提供原位微变形的探针，其中由通过所述原位微变形的所述能交联的结构的应力‑应变相位滞后测量所述能交联的结构的原位交联密度。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 原位 交联 密度 装置 方法 曝光 设备 产物 制法 聚合物 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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