[发明专利]一种低操作功耗的相变存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 202110006493.X | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN112909160B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 徐明;徐开朗;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州宇信联合知识产权代理有限公司 33401 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低操作功耗的相变存储单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。低操作功耗的相变存储单元包括衬底以及依次设置在衬底上的底电极、第一绝缘层、相变材料层、第二绝缘层和顶电极，第一绝缘层中设置有相变材料插塞柱，围绕相变材料插塞柱的周围设有第一应力材料层，第一应力材料层的材料为热应力材料，第二绝缘层中设置有顶电极插塞柱，相变材料插塞柱与顶电极插塞柱在衬底上的投影不重合。在相变材料插塞柱周围设置第一应力材料层，当相变材料插塞柱受热时，第一应力材料层会为相变材料插塞柱提供平行于衬底方向的压应力，进而降低相变材料的活化能，起到降低相变存储单元操作功耗的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 操作 功耗 相变 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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