[发明专利]垂直栅极场效晶体管器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110008411.5 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN113161420A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陈春元;王俊智;曾晓晖;刘人诚;施俊吉;丁世泛;吴尉壮;江彦廷;廖家庆;陈彦瑜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本公开涉及一种具有包括前侧及后侧的半导体衬底的垂直栅极场效晶体管器件。在半导体衬底的前侧上是第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。栅极电极配置在半导体衬底的前侧上，且包括水平部分、第一垂直部分及第二垂直部分。水平部分配置在半导体衬底的前侧之上以及第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，且接触栅极电极结构的水平部分。第二垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，接触栅极电极结构的水平部分，且通过衬底的沟道区而与第一垂直部分分隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 栅极 晶体管 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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