[发明专利]一种构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法有效
| 申请号： | 202110008429.5 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN112614929B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 郭逢凯;隋解和;蔡伟 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法，本发明涉及一种提高SnTe热电性能的方法。本发明要解决现有引入晶体缺陷的方法无法通过降低声速来提高SnTe中温热电材料的热电性能的问题。方法：一、称取；二、制备铸锭；三、球磨、烧结和退火。本发明用于构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 构建 孔洞 提高 snte 热电 性能 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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