[发明专利]一种基于连续损伤力学的微米烧结银芯片粘接层疲劳失效物理模型建模与验证方法有效
| 申请号： | 202110008735.9 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN112836342B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 付桂翠;郭文迪;万博 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G01N3/24;G06F119/14;G06F119/02;G06F119/08 |
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| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于连续损伤力学的微米烧结银芯片粘接层疲劳失效物理模型建模与验证方法，包括步骤一：结合温度载荷分析微米银粘接层受力情况；步骤二：根据几何结构受力分析，假设损伤过程近似剪切力单调加载；步骤三：根据代表体积单元微观缺陷图像，参数化非线性损伤过程的损伤变量；步骤四：基于连续损伤力学，构造损伤演化方程；步骤五：根据剪切强度测试结果确定失效阈值，代入测试组数据确定模型的未知参数；步骤六：结合验证组数据，验证模型预测结果。本发明基于连续损伤力学进行微米烧结银芯片粘接层的几何受力分析，外载荷剖面和初始条件确定，应力应变场模型推导，临界失效阈值确定及寿命预测，属于元器件可靠性评价技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 连续 损伤 力学 微米 烧结 芯片 粘接层 疲劳 失效 物理 模型 建模 验证 方法 | ||
【主权项】：
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