[发明专利]一种常压烧结抗辐照碳化硅陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110009491.6 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN112794719A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陈健;祝明;黄政仁;陈文辉;姚秀敏;陈忠明;刘学建 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/577 | 分类号： | C04B35/577;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 郑优丽;牛彦存 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开一种常压烧结抗辐照碳化硅陶瓷材料及其制备方法。所述抗辐照碳化硅陶瓷材料包括碳化硅基体和原位固溶进入碳化硅晶格的 |
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| 搜索关键词： | 一种 常压 烧结 辐照 碳化硅 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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