[发明专利]薄膜传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110010411.9 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112857439A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 谭秋林;薛涛;张磊 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01D21/02 | 分类号： | G01D21/02;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京致科知识产权代理有限公司 11672 | 代理人： | 李洪娟;魏红雅 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜传感器及其制备方法，该薄膜传感器包括：基片；设置在基片上的绝缘层；以及设置在所述绝缘层上的第一薄膜热电偶、薄膜热电偶阵列和敏感栅单元3种器件中的至少两种；所述第一薄膜热电偶用于温度测量；所述薄膜热电偶阵列用于热流密度测量；所述敏感栅单元用于应变测量。实现了一个薄膜传感器能够同时完成温度、热流密度及应变中至少两种数据的测量，可有效减小传感器体积，从而减小传感器对待测的高温部件面积的占用，降低传感器对高温部件表面换热及表面气流的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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