[发明专利]一种Flash存储器单粒子效应检测方法有效
申请号: | 202110010876.4 | 申请日: | 2021-01-06 |
公开(公告)号: | CN113012749B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 黄姣英;王乐群;高成;王自力 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | G11C29/50 | 分类号: | G11C29/50;G11C29/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100191 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种Flash存储器单粒子效应检测方法,它有四个步骤:一、Flash存储器开封;二、在器件静态无偏模式下进行单粒子效应检测试验;三、在器件静态模式下进行单粒子效应检测试验;四、在器件动态模式下进行单粒子效应检测试验。该发明提供了一种Flash存储器单粒子效应检测方法,覆盖单粒子翻转、单粒子功能中断和单粒子闭锁,同时可以区分存储单元和外围电路造成的翻转,为相关单粒子效应检测试验提供参考。 | ||
搜索关键词: | 一种 flash 存储器 粒子 效应 检测 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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