[发明专利]半导体材料的键合方法及键合结构在审

专利信息
申请号: 202110011626.2 申请日: 2021-01-06
公开(公告)号: CN114724934A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 赵立新;李朝勇;胡杏;邹文;邱裕明 申请(专利权)人: 格科微电子(上海)有限公司
主分类号: H01L21/18 分类号: H01L21/18;H01L29/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种半导体材料的键合方法及键合结构,通过在至少一片半导体材料上形成半导体介质和绝缘介质的混合表面,使得键合界面既包括半导体介质与半导体介质的接触区域,又包括半导体介质与绝缘介质的接触区域和/或绝缘介质与绝缘介质的接触区域。半导体介质与半导体介质的接触区域用于电荷转移,避免电荷累积造成的电弧效应、产品失效、机台污染等问题;半导体介质与绝缘介质的接触区域和/或绝缘介质与绝缘介质的接触区域用于在较低温度下实现较强的键合强度,减少键合缺陷,保证器件性能,提高产品可靠性。
搜索关键词: 半导体材料 方法 结构
【主权项】:
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