[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202110012100.6 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN112820770A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 土屋秀昭;木村央;井手隆;国宗依信 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;王娟娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可提高电极的电迁移耐力的技术。漏极电极(DE)的一部分形成于漏极垫(DP)的侧面(DSF)中。此时，漏极电极(DE)与漏极垫(DP)一体形成，且在俯视下从侧面(DSF)起在第1方向(y方向)上延伸。凹部(DRE)位于在俯视下与漏极电极(DE)重合的区域上。漏极电极(DE)的至少一部分填埋在凹部(DRE)中。从第1方向(y方向)上看，凹部(DRE)中面向漏极垫(DP)的侧面(侧面RDS)嵌入漏极垫(DP)中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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