[发明专利]半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法在审

专利信息
申请号: 202110012265.3 申请日: 2021-01-06
公开(公告)号: CN113160868A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 车相彦;黄柱盛 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C7/18;G11C8/08
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 刘虹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体存储器设备包括:ECC电路;错误信息寄存器;刷洗控制电路,用于计数刷新行地址,并且每当计数N个刷新行地址时输出要对第一存储器单元行中的至少一个子页执行的刷洗操作的刷洗地址;以及控制逻辑电路,被配置为:控制ECC电路顺序地读取与第一码字相对应的数据,对第一码字执行错误检测,并基于所错误检测提供错误信息,错误信息指示第一码字中的错误发生计数;以及将错误信息记录在错误信息寄存器中,并基于错误信息选择性地确定是否将校正后的第一码字回写到存储有与第一码字相对应的数据的存储器位置。
搜索关键词: 半导体 存储器 设备 操作 方法
【主权项】:
暂无信息
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