[发明专利]伪模态抑制型射频谐振器结构有效

专利信息
申请号: 202110012423.5 申请日: 2021-01-06
公开(公告)号: CN112821878B 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 孙成亮;周杰;邹杨;刘炎;林炳辉;徐沁文;谷曦宇;罗天成;高超 申请(专利权)人: 宁波华彰企业管理合伙企业(有限合伙)
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/17
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 肖明洲
地址: 315832 浙江省宁波市北仑*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种伪模态抑制型射频谐振器结构。包括下电极层、压电层、上电极层、凹陷上电极层、凸起压电层、凹陷压电层。其中,凹陷上电极层位于交叠区域处;凸起压电层位于外部区域处,且比有效区域高;凹陷压电层位于外部区域处,位于所述凸起压电层之间。本发明申请通过调整凹陷上电极层、凸起压电层、凹陷压电层的深度、宽度和位置关系,能够使谐振器满足谐振频率关系为:f外部区域<f有效区域<f交叠区域,进而可以有效抑制阻抗曲线上的伪模态和高阶模态,提高谐振器的机电耦合系数和品质因子,进而提升谐振器的整体性能。
搜索关键词: 伪模态 抑制 射频 谐振器 结构
【主权项】:
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