[发明专利]一种氧化锆晶体的制备方法在审
| 申请号： | 202110013638.9 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112695375A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 徐家跃;胡家乐;申慧;田甜 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/16;C30B33/02 |
| 代理公司： | 郑州浩翔专利代理事务所(特殊普通合伙) 41149 | 代理人： | 边延松 |
| 地址： | 200000 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了氧化锆晶体的制备方法，属于金属氧化物功能材料的制备领域。本发明将氧化钇和氧化锆按比例混合并研磨成均匀粉末，利用冷坩埚法制备，制得所述立方氧化锆晶体，再进行还原处理，可得到黑色的立方氧化锆晶体。本发明能够让材料大尺寸快速结晶生长，适合大规模生产，坩埚材料作为原料可回收使用，节约成本，得到的晶体尺寸大、结晶度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锆 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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