[发明专利]InP PHEMT外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110015630.6 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112736132B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 周书星;王寅;张欣;类淑来;胡青松 | 申请（专利权）人： | 湖北文理学院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 441053 湖北省襄*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种InP PHEMT外延结构及其制备方法，所述外延结构包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、递变缓冲层、沟道层、隔离层、Si平面掺杂层、势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层，所述递变缓冲层的材料为In |
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| 搜索关键词： | inp phemt 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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