[发明专利]一种高静压单晶硅差压传感器的差压传感方法有效
| 申请号： | 202110015863.6 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112345158B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 童辉;周鹏;宋礼明;朱成伟;陈修 | 申请（专利权）人： | 南京精准传感科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L19/06 | 分类号： | G01L19/06;G01L13/02 |
| 代理公司： | 南京鑫之航知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32410 | 代理人： | 姚兰兰 |
| 地址： | 210007 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高静压单晶硅差压传感器的差压传感方法，包括高静压单晶硅差压传感器，该高静压单晶硅差压传感器包括烧结底座、烧结连接头和设置在烧结底座内部的单晶硅差压传感器芯片，其还包括第一低压油腔至第六低压油腔以及第一高压油腔至第六高压油腔，该差压传感方法通过设置在低压基座和高压基座之间的中心隔离膜片并结合第一低压油腔至第六低压油腔和第一高压油腔至第六高压油腔设置的传感方法，避免了单晶硅差压传感器芯片受到破坏，具有高过载性能，另外还具有高、低压油腔油量平衡、输出稳定、高静压和高精度等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静压 单晶硅 传感器 传感 方法 | ||
【主权项】：
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