[发明专利]基于氮化镓的半导体功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110018610.4 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112750898A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王琮 | 申请（专利权）人： | 王琮 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/417;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 基于氮化镓的半导体功率器件及其制造方法，本发明涉及一种氮化镓基半导体器件，它为了解决现有基于氮化镓的高功率半导体器件的栅极制备工艺难度大、耐电压性能差和碳化硅材料共源极接地难以实现的问题。本发明基于氮化镓的半导体功率器件包括衬底、氮化物层、源极、漏极和栅极，在衬底上形成氮化物层，在氮化物层上形成间隔的源欧姆层和漏欧姆层，在所述源欧姆层和漏欧姆层之间的氮化物层上形成栅极，源极连接至源欧姆层上，漏极连接至漏欧姆层，所述的栅极为具有底部宽度小于顶部宽度的伽马形。本发明还提供了Γ形栅极的形成工艺，双阶梯场板结构，以及一种简单的基于物理切割方法的共源连接方式过孔制备工艺，省去了昂贵的刻蚀步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化 半导体 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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