[发明专利]半导体器件中的金属至源极/漏极插塞的间隙图案化在审
| 申请号： | 202110019008.2 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN113223963A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲;傅劲逢;林焕哲;李富生;何彩蓉;谢博全;陈冠亘;王冠人 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 杨佳婧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体器件中的金属至源极/漏极插塞的间隙图案化。一种方法可以包括在提供在第一源极/漏极和第二源极/漏极上的第一电介质层的顶部上提供掩模层，以及在掩模层和第一电介质层中创建暴露第一源极/漏极和第二源极/漏极的部分的开口。该方法可以包括用覆盖第一源极/漏极和第二源极/漏极的暴露部分的金属层填充开口，以及在金属层中形成间隙以创建第一金属接触件和第二金属接触件。第一金属接触件可以电耦合至第一源极/漏极，并且第二金属接触件可以电耦合至第二源极/漏极。间隙可以使第一金属接触件与第二金属接触件分开小于十九纳米。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 金属 至源极 漏极插塞 间隙 图案 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110019008.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无人机网络和操作方法
- 下一篇：使用不同频率的信号的距离估计
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
