[发明专利]分离栅闪存存储器单元及其制作方法

摘要

本发明公开一种分离栅闪存存储器单元及其制作方法，其中该分离栅闪存存储器单元包括一半导体基底，其上具有选择栅极氧化层和浮动栅极氧化层；一浮动栅极，在浮动栅极氧化层上；一橄榄球状氧化层，在浮动栅极上，其中浮动栅极包括在橄榄球状氧化层下方的尖端；一选择栅极，在选择栅极氧化层上并延伸到橄榄球状氧化层上；一栅极间层，在选择栅极和浮动栅极之间，其中栅极间层的厚度小于选择栅极氧化层的厚度；一源极区，设于半导体基底中并与浮动栅极相邻；以及一漏极区，设于半导体基底中并与选择栅极相邻。