[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202110020947.9 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN113270417A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 越智孝光;笠嶋俊介 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11565 | 分类号： | H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L23/48;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 实施方式能抑制半导体存储装置中电特性的劣化。实施方式的半导体存储装置具备多个导电体层及第1柱。第1柱贯通多个导电体。第1柱包含第1柱状部、第2柱状部及由第1柱状部与第2柱状部夹着的第1中间部。第1中间部的直径大于第1柱状部及第2柱状部的直径。第1柱状部包含第1半导体层及第1电荷蓄积层。第1电荷蓄积层位于多个导电体层与第1半导体层之间。第2柱状部包含第2半导体层及第2电荷蓄积层。第2电荷蓄积层位于多个导电体层与第2半导体层之间。第1中间部包含第3半导体层。第1半导体层与第3半导体层相接。第2半导体层在与第1半导体层相反侧与第3半导体层相接。第2半导体层与第3半导体层是连续膜。第1电荷蓄积层与第2电荷蓄积层不相接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司，未经铠侠股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110020947.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体存储装置及其制造方法
- 下一篇：代理装置、代理系统以及非暂时性记录介质
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
