[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110021866.0 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113257915A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 范妙璇;李培炜;李京桦;李荣伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本揭露是关于一种半导体装置，包括掺杂有第一掺杂剂浓度的铅(Pb)的第一及第二源极/漏极(S/D)区域。半导体装置亦包括在第一S/D区域与第二S/D区域之间的通道区域，其中通道区域经掺杂具有第二掺杂剂浓度的铅，第二掺杂剂浓度低于第一掺杂剂浓度。半导体装置进一步包括分别与第一及第二S/D区域接触的第一及第二S/D触点。半导体装置亦包括在通道区域上方的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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