[发明专利]高熵二维材料、高熵MAX相材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110023188.1 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112875703A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杨树斌;杜志国 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C01B32/90 | 分类号： | C01B32/90;C01G53/00;B82Y40/00;C04B35/56;C04B35/622;C25B11/075;C25B1/04;H01M4/62 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 李岩 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高熵二维材料、高熵MAX相材料及其制备方法，其中，高熵二维材料具有二维片层结构，由M元素和X元素组成，其中，所述M元素选自IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIII、IB、IIB族中的至少五种金属元素，X元素选自IIIA、IVA、VA和VIA中的至少一种非金属元素；高熵MAX相材料的化学通式为M |
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| 搜索关键词： | 二维 材料 max 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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