[发明专利]改善硅基光波导工艺鲁棒性的方法在审
| 申请号： | 202110024201.5 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112782803A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 朱继光;宁宁;吴月;潘伯津 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/136;G03F1/80 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一改善硅基光波导工艺鲁棒性的方法，包括步骤：提供待刻蚀基底，待刻蚀基底上定义有设计波导图形；确定辅助图形区；进行第一刻蚀形成设计波导图形和辅助图形；进行第二刻蚀去除辅助图形。本发明的改善硅基光波导工艺鲁棒性的方法，在硅基设计图形中不允许添加虚拟图形的区域添加辅助图形结构以形成均匀密集的图形结构，再通过二次刻蚀或多次刻蚀将图形内部的辅助图形刻蚀掉，可在不影响原有图形的基础上进一步提高晶圆最终图形的均匀性，减小设计与工艺之间的差异，还可以对稀疏波导能起到保护作用，一定程度上提高了产品良率，本发明能进一步提高工艺极限，达到更小的波导尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 硅基光 波导 工艺 鲁棒性 方法 | ||
【主权项】：
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