[发明专利]半导体结构及其制作方法

摘要

本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，制作方法包括：提供基底，基底具有多个相互间隔的沟槽和多个相互间隔的位线结构，且位线结构至少部分位于沟槽中；形成第一保护层，第一保护层至少包括覆盖位线结构侧壁的第一侧壁层和覆盖沟槽的表面的第二侧壁层；形成第二保护层，第一保护层和第二保护层填充满沟槽，且第二保护层至少包括由热氧化法形成的氧化硅层；形成第三保护层，第三保护层至少覆盖第二保护层远离基底的顶面，且第二保护层和第三保护层覆盖第一侧壁层的表面。本发明实施例有利于提高第一保护层、第二保护层和第三保护层对位线结构的保护效果，从而有利于提高半导体结构的良率。