[发明专利]一种半导体硅片的热处理方法在审
| 申请号： | 202110026229.2 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112820642A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 祝凯 | 申请（专利权）人： | 开化晶芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 温州青科专利代理事务所(特殊普通合伙) 33390 | 代理人： | 虞乘乘 |
| 地址： | 324300 浙江省衢州市开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体硅片的热处理方法，包括以下步骤：将需要进行热处理的半导体硅片先行浸泡在含氢氟酸的水溶液内，具体冷却时间根据风冷设备工作效率进行实时调节，最终使得石英舟内半导体硅片冷却至室温。本发明通过优化半导体硅片的处理步骤，将待处理的半导体硅片使用含氢氟酸的水溶液进行浸泡，使得硅片表面形成亲水性氧化物层，以使得后续的热处理加工中能够有效避免氧沉淀层的形成，使得半导体硅的质量得到保障，进一步还原半导体硅片成品的真实电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 硅片 热处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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