[发明专利]一种能提高最大输出功率的GaN HEMT在审

专利信息
申请号: 202110028991.4 申请日: 2021-01-11
公开(公告)号: CN112864225A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 陈万军;史琦;段力冬;信亚杰;孙瑞泽 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/40;H01L29/778;H01L29/20
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 孙一峰
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于半导体技术领域,具体涉及一种能提高最大输出功率的GaN HEMT。相比于传统GaN HEMT用单一的AlGaN作为势垒层,本发明插入AlN势垒层,并将其下方的AlGaN采用重掺杂,来和常规AlGaN一起构成GaN HEMT的势垒区域。AlN势垒层的使用可以改变沟道的电场分布,降低沟道峰值电场,进而提高器件耐压。而重掺杂AlGaN的区域可以提高的二维电子气浓度,进而改善器件的输出电流。值得注意的是,考虑到器件性能和可靠性因素,除栅极下方AlGaN重掺杂区域采用重掺杂外,势垒区的其它AlGaN仍采用常规掺杂浓度。同时,相比于传统GaN HEMT结构,本发明引入场板设计,以进一步改善沟道电场,降低电场峰值,提高耐压。
搜索关键词: 一种 提高 最大 输出功率 gan hemt
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