[发明专利]一种能提高最大输出功率的GaN HEMT在审
申请号: | 202110028991.4 | 申请日: | 2021-01-11 |
公开(公告)号: | CN112864225A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 陈万军;史琦;段力冬;信亚杰;孙瑞泽 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/778;H01L29/20 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 孙一峰 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种能提高最大输出功率的GaN HEMT。相比于传统GaN HEMT用单一的AlGaN作为势垒层,本发明插入AlN势垒层,并将其下方的AlGaN采用重掺杂,来和常规AlGaN一起构成GaN HEMT的势垒区域。AlN势垒层的使用可以改变沟道的电场分布,降低沟道峰值电场,进而提高器件耐压。而重掺杂AlGaN的区域可以提高的二维电子气浓度,进而改善器件的输出电流。值得注意的是,考虑到器件性能和可靠性因素,除栅极下方AlGaN重掺杂区域采用重掺杂外,势垒区的其它AlGaN仍采用常规掺杂浓度。同时,相比于传统GaN HEMT结构,本发明引入场板设计,以进一步改善沟道电场,降低电场峰值,提高耐压。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 最大 输出功率 gan hemt | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110028991.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类