[发明专利]N-GQDs/AgPt中空树突结构纳米复合材料及其制备与应用有效
| 申请号： | 202110030676.5 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112599788B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张东霞;邵涛;张乾坤;李金灵;赫世杰;周喜斌 | 申请（专利权）人： | 西北师范大学 |
| 主分类号： | H01M4/86 | 分类号： | H01M4/86;H01M4/92;H01M8/1011;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 兰州智和专利代理事务所(普通合伙) 62201 | 代理人： | 张英荷 |
| 地址： | 730070 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N‑GQDs/AgPt中空树突结构纳米复合材料，是以附着在Ag表面的N‑GQDs为载体，光照处理后通过置换反应使AgPt合金分别附着于N‑GQDs内外两侧得到N‑GQDs/AgPt中空树突纳米复合材料，制备简单，提高了Pt的利用率，降低了生产成本。由于N‑GQDs良好的分散性，AgPt的电子及双功能效应，Ag/N‑GQDs的光照处理以及特殊的中空树突结构，大大地提高了对甲醇的电催化活性（其催化性能是商业Pt/C的21倍）和抗CO中毒能力，在DMFCs中具有潜在的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | gqds agpt 中空 树突 结构 纳米 复合材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
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