[发明专利]一种制备导电聚合物一维纳米阵列的方法在审
| 申请号： | 202110030862.9 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112851968A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王魁;吴雨辰;江雷 | 申请（专利权）人： | 季华实验室 |
| 主分类号： | C08J3/03 | 分类号： | C08J3/03;C08L65/00;C08L25/18;C08L79/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 528200 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备导电聚合物一维纳米阵列的方法,修饰硅柱阵列；制备分散液；对基底进行预处理；将所述分散液滴于修饰后的硅柱阵列表面，再将所述基底覆盖于硅柱阵列的表面并对硅柱阵列和基底施加一定的压力使两者压紧，然后将压紧后的硅柱阵列和基底置于一定的温度下烘干，得到导电聚合物一维纳米阵列；本技术方案利用预先设计的硅柱阵列，诱导导电聚合物分散液在各种基底表面的限域自组装，得到位置、形状精确调控的一维纳米线阵列；本方法简单易行，阵列尺寸可控，导电聚合物分子高度取向，能够制备大面积高质量的导电聚合物一维纳米阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 导电 聚合物 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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