[发明专利]一种二维Cd7有效

专利信息
申请号: 202110031122.7 申请日: 2021-01-11
公开(公告)号: CN112853490B 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 周兴;彭乔俊;李东燕;翟天佑 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B29/64;C30B25/02
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 孔娜;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于纳米半导体材料相关技术领域,其公开了一种二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料及其制备方法,所述方法包括以下步骤:(1)将水平管式炉的反应区划分为上游低温区、中心温区和下游沉积区,并将氯化镉、碲粉和硒粉作为前驱体置于上游低温区;(2)氯化镉、碲粉和硒粉反应生成Cd7Te7Cl8O17晶体材料后,采用载气将Cd7Te7Cl8O17晶体材料带入下游沉积区,以在位于下游沉积区的衬底上进行沉积,由此得到二维Cd7Te7Cl8O17晶体材料。本发明将硒粉作为氧化剂,能够促进生成Cd7Te7Cl8O17的反应,避免生成副产物碲化镉,实现制备过程的可控,同时本发明将衬底设置在下游沉积区,与中心温区保持一定的距离,能够避免中心温区温度过高而破坏衬底。
搜索关键词: 一种 二维 cd base sub
【主权项】:
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