[发明专利]金属-电介质键合方法和结构有效
| 申请号： | 202110031282.1 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112885777B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 胡思平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/108;H01L27/11551;H01L27/11578;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;赵磊 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种金属‑电介质键合方法包括：提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一半导体层、处于第一半导体层上的第一电介质层和处于第一电介质层上的第一金属层，其中，第一金属层具有背对第一半导体层的金属键合表面；对金属键合表面施加表面处理；提供第二半导体结构，所述第二半导体结构包括第二半导体层和处于第二半导体层上的第二电介质层，其中，第二电介质层具有背对第二半导体层的电介质键合表面；对电介质键合表面施加表面处理；以及通过使金属键合表面与电介质键合表面键合来使第一半导体结构与第二半导体结构键合。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 电介质 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
