[发明专利]改善栅漏电荷的沟槽型功率半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110032715.5 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112864250A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 胡盖;夏华秋;夏华忠;黄传伟;李健;诸建周 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽型功率半导体器件及其制备方法，尤其是一种改善栅漏电荷的沟槽型功率半导体器件及其制备方法。在元胞沟槽内设置上部绝缘栅氧化层以及下部绝缘栅氧化层，上部绝缘栅氧化层的厚度小于下部绝缘栅氧化层的厚度，通过上部绝缘栅氧化层厚度能使得阀值电压能够满足沟槽栅功率半导体器件的正常工作要求，保证功率半导体器件正常的开关动作，通过下部绝缘栅氧化层能有效降低米勒电容，改善栅漏电荷，并能提高功率半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 漏电 沟槽 功率 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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