[发明专利]脉冲储能陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110033110.8 申请日: 2021-01-11
公开(公告)号: CN112745118B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 唐斌;陈菁菁;赵鹏;杨成韬;钟朝位;张树人 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01B3/12 分类号: H01B3/12;C04B35/475;C04B35/622;C04B35/63
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种脉冲储能介质陶瓷材料及制备方法,属于电子元器件材料领域。本发明由K0.5+xLayBi0.5(Mg0.5Zr0.5)yTiO3(0≤x≤0.05,0.05≤y≤0.15)主晶相和改性添加剂组成。所述改性添加剂为:CeO2、Nb2O5、Nd2O3、ZnO、MnCO3、SiO2中的一种或几种。其制备方法包括配料、球磨、造粒、成型、烧结。所述脉冲储能介质陶瓷材料有较高的储能密度,在200kV/cm(交流)下为2.0J/cm3,抗电强度为130~200kV/cm(交流),储能效率为73%~75%,性能稳定,适于制作脉冲电容器介质材料。制备方法具有简单、易控、环保和成本低廉的特点。
搜索关键词: 脉冲 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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