[发明专利]一种单基底四端级联钙钛矿-碲化镉叠层太阳电池有效
| 申请号： | 202110033178.6 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114765200B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 赵德威;郝霞;任胜强;武莉莉;张静全 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H10K39/15 | 分类号： | H10K39/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于一种利用半导体材料的光生伏打效应，直接将光能转换为电能的光电器件，属于太阳电池新型结构设计及器件制备之技术领域。由于碲化镉太阳电池及钙钛矿太阳电池吸光体对太阳光谱的吸收范围有限，器件效率均小于26%。可通过在同一个基底的两侧分别制备钙钛矿和碲化镉电池来进一步提高器件效率。本发明全面考虑四端级联叠层太阳电池中的光电损耗，提出了单基底四端级联碲化镉‑钙钛矿叠层太阳电池的结构。本发明旨在于单个基底的两侧按照工艺温度的高低顺序分别制备完整结构的碲化镉和钙钛矿太阳电池，通过这种简便高效的方式得到具有更高光电转换效率的四端级联叠层太阳电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基底 四端 级联 钙钛矿 碲化镉叠层 太阳电池 | ||
【主权项】：
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