[发明专利]存储器器件和用于形成存储器器件的方法在审
| 申请号： | 202110033978.8 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN113178455A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 赖昇志;林仲德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1159 | 分类号： | H01L27/1159;H01L27/11597;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请的各个实施例针对金属‑铁电‑金属‑绝缘体‑半导体(MFMIS)存储器器件，以及用于形成MFMIS存储器器件的方法。根据MFMIS存储器器件的一些实施例，将第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域垂直堆叠。内部栅电极和半导体沟道位于第一源极/漏极区域上面并且位于第二源极/漏极区域下面。半导体沟道从第一源极/漏极区域延伸至第二源极/漏极区域，并且内部栅电极电浮置。栅极介电层位于内部栅电极和半导体沟道之间并且邻接内部栅电极和半导体沟道。控制栅电极位于内部栅电极的与半导体沟道相对的侧上，并且未由第二源极/漏极区域覆盖。铁电层位于控制栅电极和内部栅电极之间并且邻接控制栅电极和内部栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
