[发明专利]一种多层外延超结结构VDMOS的结构及其方法在审
| 申请号： | 202110033982.4 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN112614895A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 张永利;刘文;秦鹏海;王新强;王丕龙 | 申请（专利权）人： | 深圳佳恩功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258 | 代理人： | 刘丹 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多层外延超结结构VDMOS的结构及其方法，包括漏极，所述漏极的上方设置有衬底，所述衬底的上方设置有n型漂移区，所述n型漂移区的内部设置有p型块，所述p型块的上方设置有p型阱，所述p型阱的内部设置有n+型源区和p+型短路区，所述p型阱的顶部设置有栅极氧化层，通过在n型漂移区设置垂直于条形多晶层方向的横向p型块，将主要承压层p型块区域与p型阱的延伸方向垂直，使p型块长度不再成为限制单胞大小的因素，单胞大小完全由多晶层与多晶层间隔长度决定，同时将原流程第一次刻蚀、第二次刻蚀、第三次刻蚀后的推进工艺步骤整合为第三次刻蚀后，原制作工艺流程的三次推进整合为一次推进，大大节省了工艺时间与成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 外延 结构 vdmos 及其 方法 | ||
【主权项】：
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