[发明专利]半导体器件的钝化方法有效
| 申请号： | 202110034018.3 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN112736641B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 张继宇;李颖;杨国文;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的钝化方法，涉及半导体相关的技术领域，该半导体器件的钝化方法，包括如下步骤：将解理的巴条放入到腔室内进行氧化处理；抽真空，利用形成的氢等离子体对巴条的腔面进行清洗处理,并利用形成的氦等离子体对巴条的腔面进行清洗处理；在清洗处理后保持氦气源开启并形成氦等离子体的状态下，对巴条的腔面进行钝化处理，可以加速钝化过程。本发明提供的一种半导体器件的钝化方法将自然解理的巴条进行氧化处理，使巴条腔面上的氧化物的厚度均一，避免了在清洗过程中，出现清洗不完全和过清洗的问题，且利用氢等离子体和氦等离子体依次对腔面进行清洗，保持氦气源开启时进行钝化，能够对氧化物层彻底清洗并容易钝化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 钝化 方法 | ||
【主权项】：
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