[发明专利]一种石墨烯基纳米间隙场发射晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202110034237.1 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN112670347B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 许坤;田喜敏;段向阳;许军伟;付林杰;王海丽;陈雷明;杜银霄;曾凡光 | 申请（专利权）人： | 郑州航空工业管理学院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 李现艳 |
| 地址： | 450015 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯基纳米间隙场发射晶体管及其制作方法，其以石墨烯薄膜作为阴极电子发射材料，金属作为阳极电子接收材料，石墨烯与金属阳极之间间隔真空纳米间隙，平行于石墨烯薄膜的方向上外加调控栅极。将阴极和阳极所加电压在场发射开启点附近，通过调控栅极所加电压来调控石墨烯的费米能级的高低，因为发射电流受材料费米能级影响非常大，从而实现场发射电流的开启与关断。同时，由于石墨烯特殊的能带结构，载流子的弛豫时间非常短。电子阴极到阳极的电子输运模式以弹道输运为主，等效迁移率极高。因此本发明具有极高的频率特性。而且，本发明所述器件可以实现2‑5nm的源漏间距。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 纳米 间隙 发射 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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