[发明专利]一种MEMS SOI压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110036056.2 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN112357877B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 黄晓东;兰之康;张鹏飞 | 申请（专利权）人： | 东南大学;南京高华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种MEMS SOI压力传感器及其制备方法，压力传感器包括体硅层、埋氧层、衬底、压敏电阻、钝化层、电极层。压敏电阻为对SOI片的器件层进行光刻和离子注入得到，钝化层为对SOI片进行退火处理形成的SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 mems soi 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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