[发明专利]一种具有钝化层渐变氟离子终端的GaN HMET器件有效
| 申请号： | 202110038284.3 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN112864243B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 魏杰;邓思宇;郗路凡;孙涛;贾艳江;廖德尊;张成;罗小蓉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有钝化层渐变氟离子终端的GaN HMET器件。本发明主要特征在于：在器件栅极和漏级之间引入氟离子注入终端结构，且氟离子注入区域面积由靠近栅极一侧向漏极一侧逐渐减小，有效降低栅极边缘电场尖峰，并在漂移区中部引入新的电场尖峰，调制器件横向电场；氟离子注入终端结构位于厚钝化层中，可避免离子注入对AlGaN材料的物理损伤和对2DEG迁移率的影响，改善器件特性并抑制电流崩塌。本发明的有益效果为，该结构能实现更高的耐压以及更小的比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 钝化 渐变 离子 终端 gan hmet 器件 | ||
【主权项】：
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