[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 202110039309.1 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN112736026B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;唐松 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的形成方法，涉及半导体制备的技术领域，方法包括以下步骤：在半导体堆叠结构的上表面形成掩模层，在掩模层上方形成光阻层；在光阻层上形成第一开口结构；通过湿法刻蚀，在掩模层中形成第二开口结构；以光阻层为掩模，利用干法等离子体刻蚀方式刻蚀半导体堆叠结构，在半导体堆叠结构中形成凹槽结构；对凹槽结构的底部和侧壁进行氧化处理，在凹槽结构的底部和侧壁形成钝化层；去除光阻层，以掩模层为掩模进行离子注入，在凹槽结构的侧壁和底部的外周形成高阻区。通过本发明形成的电流隔离结构，能够在不增加掩模工序的基础上，进一步提高隔离性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
