[发明专利]石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110039389.0 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114759088A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 刘志强;冯涛;梁萌;伊晓燕;张硕;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L29/165;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法，该GaN/AlGaN异质结构包括：衬底，氮化镓层设置在衬底上，石墨烯插入层，设置在氮化镓层上；势垒层，设置在石墨烯插入层上；帽层，设置在势垒层上。本发明为GaN基高迁移率晶体管提供了一种新型结构，利用石墨烯0.3至1.2nm超薄厚度，以及10000至15000cm |
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| 搜索关键词： | 石墨 作为 插入 gan algan 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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