[发明专利]一种磁控溅射设备有效
| 申请号： | 202110040061.0 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112877662B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 黄旭 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种磁控溅射设备，其主要包括溅射室、阴极部、阳极部、磁极部以及供气部，阴极部和阳极部设置于溅射室内，磁极部用于在阴极部和阳极部之间形成电子偏转磁场，供气部与溅射室连通以提供工艺气体，当进行溅射操作时，阴极部与阳极部相对且平行设置，在阴极部与阳极部之间的区域内，靠近阳极部的区域的工艺气体浓度高于靠近阴极部的区域的工艺气体浓度，该磁控溅射设备具有整体溅射率高、镀膜效果理想、对基板损伤小的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 设备 | ||
【主权项】：
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