[发明专利]一种高频IMPATT二极管台面管芯结构及制备方法有效
| 申请号： | 202110041251.4 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112635575B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 潘结斌;陈婧瑶;吕东锋;李文翰;史一明;李泽瑞 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L29/864 | 分类号： | H01L29/864;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233030 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高频IMPATT二极管台面管芯结构，包括p+导电基底，p+导电基底顶面设有台面管芯，其特征在于，所述台面管芯中央设有竖直的通孔，使台面管芯形成环形圆台状；制备时，在n+硅晶圆片上生长n型外延层、p型外延层及p+外延层；对n型外延层掺杂施主杂质n，p外延层掺杂受主杂质p；在p+外延层表面制备p+电极增强层；对n+硅晶圆片进行减薄；在n+硅晶圆片的减薄面制备n+电极增强层；按照台面管芯设计图形，通过光刻、腐蚀工艺，由n+电极增强层向p+外延层腐蚀，得到高频IMPATT二极管台面管芯结构；该结构能较好地减小器件高频工作状态下因趋肤效应而引入的附加等效电阻，增大器件高频工作状态下的输出功率，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 impatt 二极管 台面 管芯 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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