[发明专利]一种嵌入式LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110041396.4 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112864291A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/40;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人： | 刘新年 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种嵌入式LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：导电衬底、第一键合金属层、第二键合金属层、功能层、柱状P电极和柱状N电极；所述导电衬底、所述第一键合金属层、所述第二键合金属层和所述功能层按照从下向上的顺序依次排布；所述柱状P电极依次穿透所述导电衬底、所述第一键合金属层、所述第二键合金属层与所述功能层底部接触形成电导通，并且所述柱状P电极与所述导电衬底底部齐平；所述柱状N电极位于所述功能层内部，并且所述柱状N电极底部与所述第二键合金属层接触形成电导通。本发明的LED芯片除了具有嵌入式电极结构的优势外，P电极的特殊嵌入方式有效避免了以往制作电极而损失的一部分发光面积，提升了芯片的光输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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