[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110041823.9 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112886935A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 孙成亮;龙开祥;国世上;刘炎;邹杨;高超;曲远航;谷曦宇 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 肖明洲 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，是一种可以减小横向振动模式的薄膜体声波谐振器的新型结构。随着5G时代的到来，针对滤波器的性能要求越来越高，而声表面波(SAW)滤波器受其声波传播原理的限制，无法满足无线通信更高频段的应用。传统薄膜体声波谐振器(FBAR)，通常由上电极、压电材料、下电极三层结构所组成。但这一结构通常会伴随着横向振动模式，影响了谐振器的使用性能。本发明薄膜体声波谐振器的新型结构，包括上电极、压电层、下电极、第一反射层、第二反射层和第三反射层；本发明通过改善压电层以上的结构，在上电极周围增加反射层，更好地反射声波，抑制横向振动模式，提高FBAR器件的Q值。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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